Mosfet 2KS3563

Danh Mục Sản Phẩm: Mosfet-fets DIP
Mã sản phẩm: MO8
10.000 ₫
Mô tả:

Tải về datasheet IRF 2SK3563       Thông số kỹ thuật:           Điện áp đánh thủng: 500V.         Điện áp VGS = /-20V         Dòng chịu đựng trung bình: 5A.         Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.         Công suất: 35W         Mosfet IRF 2SK3563  là mosfet kênh N hay mosfet ngược. […]

Chính sách:
Miễn phí vận chuyển theo đơn đặt hàng trên 2.000.000 ₫

Sản phẩm tương tự

Tải về datasheet IRF 2SK3563

 

    Thông số kỹ thuật:

 

        Điện áp đánh thủng: 500V.

        Điện áp VGS = /-20V

        Dòng chịu đựng trung bình: 5A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.

        Công suất: 35W

 

      Mosfet IRF 2SK3563  là mosfet kênh N hay mosfet ngược.

 

      Mosfet IRF 2SK3563 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF 2SK3563 có công suất là 35W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

 

   Sơ đồ chân IRF 2SK3563

Sơ đồ kích thước IRF 2SK3563

 

 

     Mosfet IRF 2SK3563 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

 

       Mosfet IRF 2SK3563 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.

 

 IRF 2SK3563

 

IRF 2SK3563

 

 

 

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!