Mosfet IRF540

Danh Mục Sản Phẩm: Mosfet-fets DIP
Mã sản phẩm: MO4
13.000 ₫
Mô tả:

Tải về datasheet IRF 540       Thông số kỹ thuật:           Điện áp đánh thủng: 100V.         Điện áp VGS = /-20V         Dòng chịu đựng trung bình: 23A.         Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.         Công suất: 100W         Mosfet IRF540 là mosfet kênh N hay mosfet ngược   […]

Chính sách:
Miễn phí vận chuyển theo đơn đặt hàng trên 2.000.000 ₫

Sản phẩm tương tự

Tải về datasheet IRF 540

 

    Thông số kỹ thuật:

 

        Điện áp đánh thủng: 100V.

        Điện áp VGS = /-20V

        Dòng chịu đựng trung bình: 23A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.

        Công suất: 100W

 

      Mosfet IRF540 là mosfet kênh N hay mosfet ngược

 

      Mosfet IRF540 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF540 có công suất là 100W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

 

 Sơ đồ chân IRF540

Sơ đồ chân IRF540

 

                              G: Gate gọi là cực cổng

                             D: Drain gọi là cực máng

                             S: Source gọi là cực nguồn

 

      Mosfet IRF540 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

 

       Mosfet IRF540 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.

 

 Mosfet IRF540

 Mosfet IRF540

 

 

 

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!