Transistor nguồn E13003

Danh Mục Sản Phẩm: Transistors DIP
Mã sản phẩm: TR39
2.000 ₫
Mô tả:

Tải về datasheet E13003        Thông số kỹ thuật:             Model: NPN – TO126             Điện áp cực đại:  VCBO = 700V                                      VCEO = 400V                                      VEBO = 9V             Dòng điện cực đại: IC =  1.5A             Nhiệt độ làm việc: -55oC ~ 150oC           Transistor […]

Chính sách:
Miễn phí vận chuyển theo đơn đặt hàng trên 2.000.000 ₫

Tải về datasheet E13003

       Thông số kỹ thuật:

            Model: NPN – TO126

            Điện áp cực đại:  VCBO = 700V

                                     VCEO = 400V

                                     VEBO = 9V

            Dòng điện cực đại: IC =  1.5A

            Nhiệt độ làm việc: -55oC ~ 150oC

 

        Transistor nguồn E13003 là một transistor lưỡng cực có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn  ghép với nhau thành 2 mối nối P-N, thuộc loại transistor nghịch NPN. Transistor nguồn E13003 được sản xuất theo chuẩn TO126, thứ tự các chân từ trái qua phải: B C E.

 

 Sơ đồ chân và kích thước Transistor E13003

 

 

 Transistor nguồn E13003

 

     Transistor nguồn E13003 có điện áp giới hạn lên tới Uce = 400V, dòng điện giới hạn của  Transistor nguồn E13003 Ic = 1.5A.

 

     Transistor nguồn E13003 có thể hoạt động ở dải nhiệt độ từ -55oC ~ 150oC. Transistor nguồn E13003 là một transistor nguồn thường được sử dụng trong các bộ nguồn xung, dòng điện định mức của MJE13001 là 1.5A.

 

 Transistor E13003

Transistor nguồn E13003

 

 

 

Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng. Sau khi bạn đồng ý và thanh toán đơn hàng, chúng tôi sẽ tiến hành giao hàng cho bạn. Nếu bạn cần tư vấn hay ngại đặt hàng bạn có thể liên hệ trực tiếp qua hotline 0931.118.199 để chúng tôi hỗ trợ bạn được tốt hơn!